Самсунг начинает производство чипов для следующего поколения графических устройств
Компания сообщила, что 20-нанометровые чипы как правило ориентированы на разработчиков серверов, однако и такие производители игровых графических устройств как NVIDIA и AMD смогут поднять работоспособность [и снизить энергопотребление] в предстоящих видеокартах.
Компания Самсунг Electronics объявила о запуске серийного производства пакета 4 ГБ DRAM на базе интерфейса High Bandwidth Memory 2-го поколения (HBM2), который предназначается для высокопроизводительных вычислений (ВПВ), расширенных графических и сетевых систем, а кроме этого для корпоративных серверов.
После презентации модулей регистровой памяти Самсунг 3D TSV DDR3 объемом 128 ГБ с двухрядным расположением выводов (RDIMM) осенью HBM2 DRAM-память стала новым этапом в развитии технологии сквозного вертикального соединения кристаллов (TSV). К производству такой продукции Самсунг приступит на протяжении года, хотя для потребительских видеокарт 32 ГБ памяти абсолютно излишни. Таким образом, они вертикально соединяются с отверстиями, что предвидено технологией TSV. Заметим также, что пропускная способность новейшей памяти доходит 256 ГБ/с.
На текущий момент Самсунг сконцентрирована на 4GB-модулях с четырьмя уровнями 8-гигабитных ядер. На протяжении года компания обещает приступить к производству 8-Гбайт микросхем HBM с улучшенными спецификациями. Однако с точки зрения спецификаций JEDEC — это тоже память HBM, что может быть важно для прочтения слайдов с планами компаний AMD либо NVIDIA. Использование HBM2 DRAM-памяти ёмкостью 8 ГБ в графических картах даст возможность дизайнерам наслаждаться 95% экономией пространства по сравнению с GDDR5 DRAM.
